n型有機半導體材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

產(chǎn)品中心 > 化學 > 有機試劑 > 光電材料

n型有機半導體材料
PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

  • 產(chǎn)品特性
  • 相關資料
  • Q&A
  • 參考文獻

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料

PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

本產(chǎn)品為n型有機半導體材料,其具有優(yōu)異的大氣穩(wěn)定性和電子遷移速度。

n型有機半導體材料PhCn-BQQDI,無論采用真空沉積法,還是涂布法,均可形成再現(xiàn)性良好的成膜,但C2體(n=2)適合涂布法,而C3體(n=3)適合氣相沉積法。

基本信息


PhC2-BQQDI

PhC3-BQQDI

名稱

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide(BQQDI

在骨架的亞胺基的氮原子上連有苯乙基(-C2H4Ph)。

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide(BQQDI)在骨架的亞胺基團的氮原子上連有苯丙基(-C3H6Ph)。

結構式

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

實物圖

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

包裝

氬氣填充

外觀

紅色~紅棕色,結晶性粉末~粉末

◆特點


可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機半導體材料。


■ 高遷移性

· 涂布結晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm2/Vs

· 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過0.6 cm2/Vs

■ 高穩(wěn)定性

· 可在大氣中長期保持穩(wěn)定,不受器件結構的影響

· 單晶有機薄膜晶體管(OFET)可維持半年以上,蒸鍍法OFET可維持一個月以上

· 遷移性降低率小于10%

■ 高耐性(PhC2-BQQDI)

· 在單晶OFET中,選擇任意基板,都具有超過150°C的高耐熱應力

· 良好的偏壓應力

◆數(shù)據(jù)

①PhC2-BQQDI

LUMO能級估算、大氣·熱穩(wěn)定性評估

● 通過循環(huán)伏安法(Cyclic Voltammetry,簡稱CV),估計LUMO為?4.11 eV(4-Hep-BQQDI具有優(yōu)異的溶解性)

● 通過熱重-差熱分析法(Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis,簡稱TG?DTA),在421 °C下未觀察到分解或相變的熱異常

● 大氣儲存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個月內的紫外可見光(UV-Vis)光譜無變化。


n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

團聚體結構

呈磚砌型團聚體結構,能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用,并可實現(xiàn)二維電荷傳輸。

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

PhC2-BQQDI的單晶OFET

元件結構

大氣下的輸出特性

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

②PhC3-BQQDI

PhC3-BQQDI單晶結構與LUMO之間的轉移積分。

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

評估大氣中真空氣相沉積OTFT特性(通道長/寬=100 μm/1000 μm)

(a)OTFT結構圖

(b)PhC2-BQQDI和(c)PhC3-BQQDI在飽和區(qū)隨基板溫度變化的傳輸特性(漏極電壓:50 V)

 藍線:室溫、綠線:100°C、紅線:180°C

(d)PhC2-BQQDI及(e)PhC3-BQQDI的遷移速度在大氣中的經(jīng)時變化

n型有機半導體材料                              PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

PhC2-BQQDI與PhC3-BQQDI

化合物

基板溫度

平均(最大)遷移速度

(cm2 V-1S-1)?

平均閾值電壓

(V)?

接觸電阻

(kΩ cm)?

PhC2-BQQDI

室溫

0.29(0.30)

4.6

4.8±0.6

100°C

0.54(0.54)

3.3

5.8±0.5

180°C

0.64(0.65)

3.5

4.7±0.4

PhC3-BQQDI

室溫

0.32(0.33)

3.2

1.7±0.3

100°C

0.51(0.53)

1.4

4.3±0.6

180°C

0.65(0.70)

2.5

3.2±0.5


?:在飽和區(qū)(漏極電壓=50 V)時評估

?:柵極電壓=50 V時的估算值

※ 本頁面產(chǎn)品僅供研究用,研究以外不可使用。

參考文獻


1.

“Robust, High-Performance n-Type Organic Semiconductors” OPEN ACCESS
Okamoto, T., Kumagai, S., Fukuzaki, E., Ishii, H., Watanabe, G., Niitsu, N., Annaka, T., Yamagishi, M,, Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Watanabe, S., Takeya, J. : Science Advances6, eaaz0632 (2020).
DOI:10.1126/sciadv.aaz0632

2.

“Cooperative Aggregations of Nitrogen-Containing Perylene Diimides Driven by Rigid and Flexible Functional Groups”
Kumagai, S., Ishii, H., Watanabe, G., Annaka, T., Fukuzaki, E., Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Kurosawa, T., Takeya, J., and Okamoto, T.: Chem. Mater32, 21, 9115 (2020).
DOI:10.1021/acs.chemmater.0c01888

3.

岡本 敏宏, 熊谷 翔平:和光純薬時報88, 3, 2 (2020).
https://labchem-wako.fujifilm.com/jp/journal/docs/jiho883.pdf


產(chǎn)品列表

產(chǎn)品編號 產(chǎn)品名稱 產(chǎn)品規(guī)格 產(chǎn)品等級 備注
165-28601 PhC2-BQQDI 100?mg
166-28871 PhC3-BQQDI 100?mg

免責聲明

1. 本公司密切關注本網(wǎng)站發(fā)布的內容,但不保證發(fā)布內容的準確性、完整性、可靠性和最新性等。

2. 本公司不保證使用本網(wǎng)站期間不會出現(xiàn)故障或計算機病毒污染的風險。

3. 無論何種原因,使用本網(wǎng)站時給用戶或第三方造成的任何不利或損害,本公司概不負責。此外,對于用戶與其他用戶或第三方之間因本網(wǎng)站發(fā)生的任何交易、通訊

3. 糾紛,本公司概不負責。

4. 本網(wǎng)站可提供的所有產(chǎn)品和服務均不得用于人體或動物的臨床診斷或治療,僅可用于科研等非醫(yī)療目的。如任何用戶將本網(wǎng)站提供的產(chǎn)品和服務用臨床診斷或治

4. 療,以及他特定的用途或行為,本公司概不保證其安全性和有效性,并且不負任何相關的法律責任。